การ์ด SD/microSD ทนทานสูง และความหน่วงต่ำแบบใหม่ของ ATP ที่สร้างขึ้นสำหรับกล้องติดรถยนต์ เครื่อง DVRs มอบการบันทึกวิดีโอที่ต่อเนื่องกว่า 109,000 ชั่วโมง
ATP การ์ด SD microSD S750 S650 ใหม่ ความทนทานสูง ความหน่วงต่ำ
ซีรีส์ S650 ใน TLC ดั้งเดิมเหนือกว่าการ์ดอื่น ๆ ด้วยความทนทานสูงกว่า 1.6 เท่า
ซีรีส์ S750 ในโหมด pSLC มีความทนทานสูงขึ้น 2 เท่า
ไทเป ไต้หวัน, July 14, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) — ATP Electronics ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันการจัดเก็บและหน่วยความจำเฉพาะ ขอแนะนำการ์ดหน่วยความจำ 3D ของเซลล์สามระดับ (TLC) ซีรีส์ S750/S650 ของ SD และ microSD ที่สร้างขึ้นเพื่อรองรับการบันทึกวิดีโอแบบไม่หยุดนิ่ง ตรงตามข้อกำหนดความทนทานสูง ความหน่วงต่ำ และการจัดเก็บข้อมูลในตัวของกล้องติดรถยนต์และเครื่องบันทึกวิดีโอดิจิตอล (DVR) ตลอดจนระบบเฝ้าระวัง ยานยนต์อัตโนมัติ และแอปพลิเคชันที่เน้นการเขียนข้อมูลอื่น ๆ
ความทนทานสูงกว่า 109,000 ชั่วโมง1 ของเวลาในการบันทึกใน TLC ดั้งเดิม
หลักฐานวิดีโอสามารถพิสูจน์ได้ว่ามีความสำคัญในหลาย ๆ สถานการณ์ ดังนั้นจึงเป็นสิ่งสำคัญมากสำหรับการ์ด SD/microSD ในการบันทึกอย่างไม่หยุดนิ่งโดยไม่ทำให้คุณภาพของภาพและความสมบูรณ์ของภาพลดลง ซีรีส์ S650 สามารถบันทึกวิดีโอ Full HD ต่อเนื่องสูงสุด 109,401 ชั่วโมง — ยาวนานกว่าการ์ดที่คล้ายกันที่วางตลาดในด้าน “ความทนทานสูง” ซีรีส์ S650 อิงตามรอบ 5K โปรแกรม/การลบ (P/E) ซึ่งแปลว่ามีความทนทานสูงกว่าการ์ดหน่วยความจำทั่วไปถึง 1.6 เท่าของรอบ 3K P/E ซีรีส์ S750 กำหนดค่าเป็นเซลล์เทียมระดับเดียว (pSLC) อิงตามรอบ 60K P/E ในขณะที่การ์ดหน่วยความจำ PSLC ทั่วไปมีอัตรารอบ 20K ถึง 30K P/E
กราฟ2 ต่อไปนี้แสดงผลการจำลองความทนทานของ microSD ATP ซีรีส์ S650 128 GB เทียบกับการ์ดความทนทานสูงยี่ห้ออื่น ๆ ในโหมด Full HD ที่มีความจุเท่ากัน
การเปรียบเทียบชั่วโมงการบันทึ
ATP S650 ความทนทานสูง ชั่วโมงการบันทึกสูงสุด เมื่อเทียบกับการ์ดความทนทานสูงอื่น ๆ
ชั่วโมงการบันทึกสูงสุดที่มีความทนทานสูง: ATP S650 เทียบกับการ์ดความทนทานสูงอื่น ๆ
——————
หมายเหตุ:
1 ทดสอบโดยใช้การ์ด ATP ซีรีส์ S650 TLC ขนาด 128 GB ที่ความเร็ว 13 Mbps (บิตเรตต่ำสุดของการบันทึก HD) ในสถานการณ์ที่ดีที่สุด/ในอุดมคติ โดยไม่มีปัจจัยที่มีอิทธิพลอื่น ๆ
2 แหล่งข้อมูลจาก ATP จากข้อมูลที่เปิดเผยต่อสาธารณะ
- ในการบันทึกข้อมูลใหม่ ข้อมูลที่เก่าที่สุดจะถูกเขียนทับเมื่อการ์ดเต็ม
- 1Mbps = 1,000,000 bps
ความหน่วงต่ำ: พร้อมบันทึกใน <1 วินาที เขียนเร็วขึ้น 50%
หลังจากเปิดเครื่องแล้ว เครื่องบันทึกไดรฟ์อาจต้องรอสองสามวินาทีเพื่อเตรียมพร้อมสำหรับการบันทึก เวลาระหว่างคำสั่งอ่านครั้งแรกและคำสั่งเขียนแรกจากโฮสต์คือ “เวลาตอบสนอง” การ์ด ATP ซีรีส์ S650 และ S750 ใช้เวลาตอบสนองน้อยกว่า 1 วินาที ในขณะที่การ์ดปกติอาจใช้เวลา 7 ถึง 12 วินาทีตามการทดสอบจริงกับ DVR ที่อุณหภูมิห้อง
ขณะบันทึกข้อมูล 16 MB ตามลำดับ การ์ด ATP S650 ใช้เวลาน้อยกว่า 0.1 วินาที ประหยัดเวลาในการเขียน 50% เมื่อเทียบกับการ์ดที่ผู้บริโภคให้คะแนน และสามารถเปิดใช้งานการสำรองข้อมูลความเร็วสูงได้โดยไม่สูญเสียข้อมูล
คุณสมบัติการออกแบบ HW/FW ของตัวเองมอบความน่าเชื่อถือที่แม่นยำ
ในฐานะผู้ผลิตตัวจริงที่มีความสามารถด้านฮาร์ดแวร์/เฟิร์มแวร์ของตัวเอง ATP สามารถปรับใช้งานได้หลากหลายเพื่อเติมเต็มความต้องการและเงื่อนไขการใช้งานเฉพาะของลูกค้า ATP พยายามอย่างเต็มที่เพื่อตอบสนองความต้องการด้วยการออกแบบ FW และ HW ที่ไม่เหมือนใคร ตามการใช้งานของลูกค้า
- การสอบเทียบการอ่านอัตโนมัติ (ARC) เมื่อเวลาผ่านไปและด้วยการใช้งานอย่างต่อเนื่อง เซลล์หน่วยความจำแฟลช NAND จะเสื่อมลง ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มอัตราความผิดพลาดของบิต (BER) เมื่อฟังก์ชัน Read Retry ปกติไม่เพียงพอในการกู้คืนข้อผิดพลาด ยิ่งต้องใช้ “การสอบเทียบการอ่านอัตโนมัติ” (ARC) ที่แม่นยำยิ่งขึ้นเพื่อรับรองความสมบูรณ์ของข้อมูลที่มีอุณหภูมิสูงมากหรือเซลล์ NAND ที่เสื่อมสภาพ
- ระเบียบวิธี ATP เพื่อการวิเคราะห์การ์ดขั้นสูงการ์ดหน่วยความจำATP ได้รับการรับรอง IP67/IP57 และผลิตโดยใช้กระบวนการเวเฟอร์/แม่พิมพ์บนระบบในแพ็กเกจ (SiP) ทำให้ยากต่อการวิเคราะห์ส่วนประกอบเมื่อเทียบกับกระบวนการSMT (เทคโนโลยีการผลิตด้วยการวางอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ลงบนผิวงาน) สารตั้งต้นและเครื่องมือดีบักที่ได้รับการออกแบบอย่างมีเอกลักษณ์ของATP ทำให้ภารกิจนี้ “เป็นไปได้”
- การออกแบบฮาร์ดแวร์ที่พัฒนาโดย ATP – สารตั้งต้นกับสลักทดสอบที่สงวนไว้จะพร้อมใช้งานสำหรับการวิเคราะห์องค์ประกอบในอนาคต
- การถอดหน้ากากประสานแผ่นด้วยเลเซอร์ – เป็นวิธีการที่แม่นยำและมีประสิทธิภาพในการถอดหน้ากากประสานแผ่นเพื่อไปถึงสลักทดสอบที่สงวนไว้บนพื้นผิว
- เครื่องมือดีบักแบบกำหนดเองของ ATP – เชื่อมต่อกับสลักทดสอบที่สงวนไว้ของ HW แล้วเชื่อมโยงกับระบบวิเคราะห์ SW
สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับระเบียบวิธีการวิเคราะห์การ์ดขั้นสูงของ ATP โปรดไปที่: https://www.youtube.com/watch?v=89Lm_eC3mSU
ข้อมูลจำเพาะ
| SD | microSD | |||||||
| สายผลิตภัณฑ์
|
พรีเมียม | ซุพีเรียร์ | พรีเมียม | ซุพีเรียร์ | ||||
| S750Pi | S750Sc | S650Si | S650Sc | S750Pi | S750Sc | S650Si | S650Sc | |
| อินเทอร์เฟซ | UHS-I | UHS-I | UHS-I | UHS-I | UHS-I | UHS-I | UHS-I | UHS-I |
| ประเภทแฟลช | 3D pSLC | 3D pSLC | 3D TLC | 3D TLC | 3D pSLC | 3D pSLC | 3D TLC | 3D TLC |
| ฟอร์มแฟกเตอร์ | การ์ด SD | การ์ด microSD | ||||||
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ถึง 85°C | -25°C ถึง 85°C | -40°C ถึง 85°C | -25°C ถึง 85°C | -40°C ถึง 85°C | -25°C ถึง 85°C | -40°C ถึง 85°C | -25°C ถึง 85°C |
| ตัวเลือกการป้องกันการสูญเสียพลังงาน | ตามเฟิร์มแวร์ | ตามเฟิร์มแวร์ | ||||||
| ความจุ | 8GB ถึง 32GB | 8GB ถึง 32GB | 32GB ถึง 128GB | 32GB ถึง 128GB | 8GB ถึง 64GB | 8GB ถึง 64GB | 32GB ถึง 256GB | 32GB ถึง 256GB |
| ประสิทธิภาพ | ||||||||
| การอ่านข้อมูลแบบต่อเนื่อง (MB/s) สูงสุด | 99 | 99 | 96 | 96 | 99 | 99 | 96 | 96 |
| การเขียนข้อมูลแบบต่อเนื่อง (MB/s) สูงสุด | 78 | 78 | 62 | 62 | 82 | 82 | 65 | 65 |
| ความทนทาน (TBW)1 สูงถึง | 1920 | 1920 | 640 | 640 | 3840 | 3840 | 1280 | 1280 |
| ความน่าเชื่อถือ MTBF @ 25°C |
>2,000,000 ชั่วโมง | >2,000,000 ชั่วโมง | >2,000,000 ชั่วโมง | >2,000,000 ชั่วโมง | >2,000,000 ชั่วโมง | >2,000,000 ชั่วโมง | >2,000,000 ชั่วโมง | >2,000,000 ชั่วโมง |
| ความน่าเชื่อถือ จำนวนการใส่ |
20,000 (ข้อมูลจำเพาะ SDA ขั้นต่ำ 10,000) | 20,000 (ข้อมูลจำเพาะ SDA ขั้นต่ำ 10,000) | ||||||
| อื่น ๆ | ||||||||
| ขนาด: ย x ก x ส (มม.) | 32.0 (24.0)2.1 | 32.0 (24.0)2.1 | 32.0 (24.0)2.1 | 32.0 (24.0)2.1 | 15.0 (11.0)1.0 | 15.0 (11.0)1.0 | 15.0 (11.0)1.0 | 15.0 (11.0)1.0 |
| ใบรับรอง | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS | CE, FCC, UKCA, RoHS |
| การรับประกัน | 5 ปี | 2 ปี | 3 ปี | 3 ปี | 5 ปี | 2 ปี | 3 ปี | 3 ปี |
| 1 ภายใต้ค่าการเขียนตามลำดับสูงสุด อาจแตกต่างกันไปตามความหนาแน่น การกำหนดค่า และการใช้งาน | ||||||||
สำหรับลูกค้าที่ต้องการคุณสมบัติหรือเทคโนโลยีเฉพาะแอปพลิเคชัน ATP ขอเสนอบริการปรับแต่งมูลค่าเพิ่มที่ครอบคลุมเฟิร์มแวร์และฮาร์ดแวร์ ตลอดจนบรรจุภัณฑ์และรูปลักษณ์ (ฉลาก การพิมพ์ และการทำเครื่องหมาย)
ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับการ์ด SD/microSD ซีรีส์ S750/S650 ได้ที่:
https://www.atpinc.com/products/industrial-sd-cards
https://www.atpinc.com/products/industrial-microsd-usd-cards
สำหรับสื่อเพื่อติดต่อในการแถลงข่าว: Kelly Lin (Kellylin@tw.atpinc.com)
ติดตาม ATP Electronics บน LinkedIn: https://www.linkedin.com/company/atp-electronics
เกี่ยวกับATP
ATP Electronics (“ATP”) ได้ทุ่มเท 30 ปีแห่งความเป็นเลิศด้านการผลิต ในฐานะผู้ให้บริการชั้นนำด้านผลิตภัณฑ์หน่วยความจำและแฟลช NAND สำหรับการใช้งานแบบฝังตัว/อุตสาหกรรม/ยานยนต์อย่างเข้มงวด ในฐานะ “ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันการจัดเก็บและหน่วยความจำเฉพาะทาง” ATP เป็นที่รู้จักในด้านความเชี่ยวชาญในโซลูชันด้านความร้อนและความทนทานสูง ATP มุ่งมั่นที่จะส่งมอบมูลค่าเพิ่ม ความแตกต่าง และ TCO ที่ดีที่สุดให้กับลูกค้า ATP ถือเป็นผู้ผลิตอย่างแท้จริง ในการจัดการทุกขั้นตอนของกระบวนการผลิตเพื่อให้มั่นใจในคุณภาพและอายุของผลิตภัณฑ์ ATP รักษามาตรฐานสูงสุดของความรับผิดชอบต่อสังคมขององค์กร โดยสร้างมูลค่าที่ยั่งยืนให้กับคนงาน สิ่งแวดล้อม และธุรกิจ ตลอดจนซัพพลายเชนทั่วโลก สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ ATP Electronics โปรดเยี่ยมชม www.atpinc.com หรือติดต่อเราได้ที่ info@atpinc.com
รูปภาพประกอบประกาศนี้สามารถดูได้ที่:
https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/bba3f651-5d95-43f6-b8bb-cd7d2e1f639c/th
https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/1222a5e7-fcc0-4927-a482-13df5f61720e/th