PCIe รุ่นที่เร็วที่สุดพร้อมอัตราข้อมูล Gen 3 เพิ่มขึ้นเป็นสองเท่า ลดเวลาแฝง นำเสนอประสิทธิภาพ R/W zยอดเยี่ยม

ATP_Gen 4 M.2 2280 NVMe

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

TAIPEI, Taiwan, June 28, 2023 (GLOBE NEWSWIRE) — ATP Electronics ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชั่นการจัดเก็บข้อมูลและหน่วยความจำเฉพาะทาง เปิดตัวอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล N600 Series M.2 2280 และ U.2 solid state drives (SSD) ความเร็วสูงรุ่นล่าสุด ซึ่งประกอบด้วยอินเทอร์เฟซ PCIe^® รุ่นที่ 4 และรองรับโปรโตคอล NVMe อัตราข้อมูล 16 GT/s ของ ATP PCIe Gen 4 SSD ใหม่นั้นสูงกว่ารุ่นก่อนหน้าถึงสองเท่า ซึ่งแปลงเป็นแบนด์วิดท์ที่ 2 GB/s สำหรับเลน PCIe ทั้งหมด

เมื่อใช้เลน x4 อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล SSD เหล่านี้มีแบนด์วิดท์สูงสุด 8 GB/s ตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับการถ่ายโอนข้อมูลความเร็วสูงเพื่อการใช้งานตามความต้องการที่หลากหลายในปัจจุบัน จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานในภาคอุตสาหกรรมที่มีความสำคัญต่อการปฏิบัติงานซึ่งเน้นทั้งการอ่าน/การเขียนเป็นหลัก เช่น ระบบเครือข่าย/เซิร์ฟเวอร์, 5G, การบันทึกข้อมูล, การเฝ้าระวัง และการสร้างรูปภาพ พร้อมประสิทธิภาพเทียบเท่า SSD สำหรับผู้บริโภค PCIe Gen 4 หลักในตลาด

ATP_Gen 4 M.2 2280 NVMe_pic3

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

176-Layer NAND Flash พร้อม DRAM ติดตั้งภายในตัวเครื่องนำเสนอ QoS ที่ยอดเยี่ยม
ลดค่าใช้จ่ายต่อ GB ด้วยแพ็คเกจ Prime 512 Gbit Die

N600 Series สร้างขึ้นด้วยนวัตกรรม 176-layer 3D NAND Flash และใช้แพ็คเกจ Prime 512 Gbit Die เพื่อส่งมอบการปรับปรุงประสิทธิภาพที่เหนือกว่าเทคโนโลยี 64-layer รวมถึงการปรับเปลี่ยนราคาซึ่งส่งผลให้ต้นทุนต่อ GB ลดลง

M.2 2280 SSD มีความจุตั้งแต่ 240 GB ถึง 3.84 TB ในขณะที่ U.2 SSD มีความจุตั้งแต่ 960 GB ถึง 7.68 TB ซึ่งเป็นตัวเลือกที่คุ้มค่ากว่าสำหรับความต้องการในการใช้งานพื้นที่เก็บข้อมูลที่หลากหลาย

ATP-Gen4-U.2-NVMe_N601Sc

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

ด้วยคะแนนคุณภาพการบริการ (QoS) ที่โดดเด่นเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า N600 Series นำเสนอความสอดคล้องที่เหมาะสมและความสามารถในการคาดการณ์ที่มีประสิทธิภาพในการอ่าน/การเขียนที่สูงขึ้น, IOPS สูง, ดัชนีการขยายการเขียน (WAI) ต่ำ และเวลาแฝงต่ำ ด้วย DRAM ที่ติดตั้งมาในตัวเครื่อง DRAM ที่ติดตั้งในตัวเครื่องส่งมอบประสิทธิภาพที่ยั่งยืนกว่าในระยะเวลาการทำงานที่ยาวนาน เมื่อเทียบกับโซลูชั่นที่ไม่มี DRAM

การสนับสนุนการจัดจำหน่ายระยะยาวที่พร้อมสำหรับอนาคต

การเพิ่มอายุการใช้งาน SSD ในระดับสูงสุด รวมถึงความพร้อมในการเปลี่ยนชุดอุปกรณ์ที่คงอยู่ยาวนานแม้ว่าผลิตภัณฑ์ระดับผู้บริโภคที่คล้ายกันจะเลิกผลิตไปแล้วก็ตาม เป็นสิ่งสำคัญสำหรับการดำเนินธุรกิจเพื่อแสวงหาผลประโยชน์สูงสุดจากการลงทุน ซึ่งเป็นเหตุผลที่ ATP Electronics มุ่งมั่นที่จะให้การสนับสนุนลูกค้าอย่างยาวนาน

ATP_M.2-NVMe_2021_Fin-Type

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

“เรารู้สึกตื่นเต้นที่จะเปิดตัวกลุ่มผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ซึ่งใช้ NAND Flash แบบ Triple Level Cell (TLC) 176-layer ในขณะที่มีการผลิตซ้ำ NAND รุ่นใหม่กว่าที่มี 2XX+layers โดยจะมุ่งเน้นไปที่อัตรา 1 Tbit และขนาดความจุที่ใหญ่ขึ้น 176-layer 3D TLC NAND ในความจุ 512 Gbit ยังคงเป็นความจุที่เหมาะสมที่สุดสำหรับการใช้งานแบบฝังตัวและการใช้งานเฉพาะทางมากมาย เนื่องจากความต้องการใช้งานอย่างต่อเนื่องสำหรับอุปกรณ์ SSD ที่มีความจุปานกลางและต่ำ

ATP-Gen4-U.2-NVMe_N651Si_7.68TB

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

“นอกเหนือจากระดับราคาที่แข่งขันได้ รุ่นนี้ยังนำเสนอการปรับปรุงเวลาแฝงและการปรับปรุงความน่าเชื่อถือสำหรับการทำงานในทุกช่วงอุณหภูมิ รุ่นนี้จะนำเสนอผลิตภัณฑ์ที่มีอายุการใช้งานที่ยาวนานในอนาคตอันใกล้นี้ ซึ่งคุณสมบัตินี้อาจมีความสำคัญมากกว่าสำหรับฐานลูกค้าของเรา เราสามารถทำงานกับฐานลูกค้าที่ต้องการวางแผนการใช้งานผลิตภัณฑ์ที่ยาวนานกว่า 5 ปีได้ด้วยความมั่นใจ” Jeff Hsieh ประธานและประธานเจ้าหน้าที่บริหารของ ATP Electronics กล่าว

Gen-4-x4-M.2_U.2-SSDs

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

การทำงานที่เชื่อถือได้และปลอดภัย
N600 Series นำเสนอคุณสมบัติหลักที่มีความน่าเชื่อถือ ความปลอดภัย และความสมบูรณ์ของข้อมูล เช่น:

• การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร การรองรับฟังก์ชัน TRIM และ การแก้ไขข้อผิดพลาดของ LDPC
• ตัวต้านทานซัลเฟอร์ขจัดผลกระทบที่เป็นอันตรายจากการปนเปื้อนซัลเฟอร์ รับประกันการทำงานที่เชื่อถือได้อย่างต่อเนื่องแม้ในสภาพแวดล้อมที่มีปริมาณซัลเฟอร์สูง
• การเข้ารหัส AES 256-bit บนฮาร์ดแวร์และระบบการรักษาความปลอดภัยเสริม TCG Opal 2.0/ IEEE 1667 สำหรับไดรฟ์แบบเข้ารหัสด้วยตัวเอง (SED)
• N600Sc Series นำเสนอการทำงานที่เชื่อถือได้ในสภาพการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิที่หลากหลายด้วยอัตรา C-Temp (0°C ถึง 70°C) N600Si Series ที่สามารถทำงานได้ในอัตรา I-Temp (-40°C ถึง 85°C) จะออกวางจำหน่ายในภายหลัง
• การควบคุมความร้อนจะปรับปริมาณงานตามเวลาของหน่วยการทำงานอย่างชาญฉลาด จะมีการกำหนดค่าของขั้นตอนการควบคุมไว้ล่วงหน้า ทำให้ตัวควบคุมสามารถจัดการกับการสร้างความร้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพเพื่อรักษาความเย็นของ SSD ไว้ จึงมั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่มีความเสถียรอย่างต่อเนื่องและปกป้องอุปกรณ์ไม่ให้เกิดความเสียหายจากความร้อน สามารถเลือกตัวเลือกแผงระบายความร้อนได้ตามโครงการและตามคำขอของลูกค้า
• กลไกการป้องกันไฟฟ้าดับ (PLP) N600 Series U.2 และ M.2 2280 SSD สำหรับอัตรา I-Temp ที่กำลังจะวางจำหน่ายเร็ว ๆ นี้มี PLP สำหรับฮาร์ดแวร์ ตัวเก็บประจุไฟฟ้าที่ติดตั้งในตัวเครื่องสามารถกักเก็บพลังงานได้นานพอที่จะทำให้คำสั่งอ่าน/เขียน/ลบล่าสุดนั้นเสร็จสิ้น และจะจัดเก็บข้อมูลไว้ในหน่วยความจำแฟลชแบบถาวรอย่างปลอดภัย การออกแบบโดยใช้ชุดอุปกรณ์ไมโครคอนโทรลเลอร์ (MCU) ช่วยให้อาร์เรย์ PLP ทำงานได้อย่างชาญฉลาดในสภาพอุณหภูมิที่หลากหลาย เมื่อไฟฟ้าขัดข้อง และในสถานะการชาร์จ เพื่อปกป้องทั้งอุปกรณ์และข้อมูลให้ปลอดภัย ในทางกลับกัน M.2 2280 SSD สำหรับอัตรา C-Temp มี PLP ที่ทำงานบนเฟิร์มแวร์ ซึ่งจะปกป้องข้อมูลที่เขียนไปยังอุปกรณ์อย่างมีประสิทธิภาพก่อนที่ไฟฟ้าจะดับ

การใช้งานที่มีความสำคัญต่อการปฏิบัติงาน: เราสร้างสรรค์ผลิตภัณฑ์ไปพร้อมกับคุณ
ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับการรองรับของโครงการและคำขอของลูกค้า ATP สามารถให้บริการในการปรับแต่งฮาร์ดแวร์/เฟิร์มแวร์ การปรับแต่งโซลูชั่นระบายความร้อน และการตรวจสอบร่วมทางวิศวกรรมและการทำงานร่วมกัน

เพื่อให้มั่นใจถึงความน่าเชื่อถือในการออกแบบผลิตภัณฑ์เพื่อการใช้งานที่มีความสำคัญต่อการปฏิบัติงาน ATP ได้ดำเนินการในด้านการทดสอบหลากหลายรูปแบบ การตรวจสอบคุณลักษณะการออกแบบ/ผลิตภัณฑ์ที่ครอบคลุมและการตรวจสอบข้อมูลจำเพาะ รวมถึงการทดสอบแบบกำหนดเองในขั้นตอนการผลิตจำนวนมาก (MP) เช่น การเบิร์นอิน การหมุนเวียนพลังงาน สคริปต์การทดสอบเฉพาะ และอื่น ๆ

จุดเด่นของผลิตภัณฑ์

*ตามการรองรับของโครงการ

หากต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ N600 Series PCIe Gen 4 x4 M.2 SSD ของ ATP โปรดไปที่:
https://www.atpinc.com/products/industrial-gen4-nvme-M.2-ssd
หากต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ N600 Series PCIe Gen 4 x4 U.2 SSD ของ ATP โปรดไปที่:
https://www.atpinc.com/products/industrial-gen4-U.2-ssd

การติดต่อฝ่ายสื่อเกี่ยวกับข่าวประชาสัมพันธ์: Kelly Lin (Kellylin@tw.atpinc.com)
ติดตาม ATP Electronics บน LinkedIn: https://www.linkedin.com/company/atp-electronics

เกี่ยวกับ ATP
ATP Electronics (“ATP”) ได้อุทิศเวลา 30 ปีให้แก่ความเป็นเลิศด้านการผลิตในฐานะผู้ให้บริการชั้นนำด้านหน่วยความจำและผลิตภัณฑ์จัดเก็บข้อมูล NAND Flash สำหรับการใช้งานแบบฝังตัว/เชิงอุตสาหกรรม/เชิงยานยนต์ที่แม่นยำ ในฐานะ “ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชั่นการจัดเก็บข้อมูลและหน่วยความจำเฉพาะทาง” ATP เป็นที่รู้จักอย่างแพร่หลายในแง่ของความเชี่ยวชาญด้านโซลูชันการระบายความร้อนที่มีความทนทานสูง ATP มุ่งมั่นที่จะส่งมอบมูลค่าเพิ่ม ความแตกต่าง และ TCO ที่ดีที่สุดให้กับลูกค้า ในฐานะผู้ผลิตที่แท้จริง ATP จัดการทุกขั้นตอนของกระบวนการผลิตเพื่อให้มั่นใจได้ถึงคุณภาพและอายุการใช้งานที่ยาวนานของผลิตภัณฑ์ ATP รักษามาตรฐานสูงสุดในด้านความรับผิดชอบต่อสังคมขององค์กร โดยการเสริมสร้างคุณค่าที่ยั่งยืนสำหรับพนักงาน สิ่งแวดล้อม และธุรกิจตลอดห่วงโซ่อุปทานทั่วโลก หากต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ ATP Electronics โปรดไปที่ www.atpinc.com หรือติดต่อเราที่ info@atpinc.com

สามารถรับชมรูปภาพประกอบของการแถลงนี้ได้ที่:

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/56be0635-5027-442b-b9e7-c64c43e353d7

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/3f0e3129-6f53-4366-b5bc-fd0cdc86f5a1

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/63c5d538-09c1-4481-a188-e66cc487ecc9

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/512ea038-214a-4b27-bbf4-adf8fa8a3fac

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/400709dd-4d79-4e2a-ad76-e3bc7266f7a5

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/933e1523-0df5-485d-9a11-e130864b199b

GlobeNewswire Distribution ID 8863001